2001/11/28  第35号
エレショー技報               (有)安部実装技術研究所
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内容
■多チャンネルリフローチェッカー<FTV-16>
■フロープロファイラー<RC-50>
■海外SMT技術情報 
      「Gold on Gold FCが高密度化の重要なすき間を埋める」 
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■多チャンネルリフローチェッカー<FTV-16> (株)マルコム

リフローにおいてプリント基板上の温度測定は重要な課題になってきた。温
度差を無くすために色々工夫されているが、それを確認するため、一度に16
カ所の温度測定が可能となりました。測定した後はパソコンにて、それぞれ
のチャンネルの温度解析が可能で、データ保管が簡単です。
実装基板で16カ所にセンサーをつけ、部品の熱データを入れる事によって温
度差を色で表現し、かつ動画で見ることが出来ます。

詳細は www.eleshow.com/ の6-5-19をご覧下さい。
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■フロープロファイラー<RC-50> (株)マルコム

最近フローはんだ付けも鉛フリーが検討されてきており、鉛フリーはんだは
共晶はんだより融点が20〜30℃も高い合金が多く、はんだ付け部の温度が
融点以上に上がっていないとはんだ付け不良を起こすことになる。熱容量の
大きな部品や、スルーホール上がりなど温度を見ておく必要がある。この装
置は一度に6カ所の温度プロファイルをとることができ、パソコンにて様々
な解析ができる。
 
 詳しくは、 www.eleshow.com/ の6-5-21をご覧下さい。
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■海外SMT技術情報     
   「Gold on Gold FCが高密度化の重要なすき間を埋める」

要 旨
 電子製造業者はFCプロセスに多大の興味を持ち,一層の洗練を期待して
いる。最新のFCプロセスはGold on Gold (以下G on G と略記する)FCプロ
セスであり,スイスと米国に基盤を持つValtronic Inc., の開発品である。
G on G FCは1999年と2000年に技術革新に対する二つの賞を獲得した。
 G on G FC は金スタッドバンプ付けしたICチップを,非導電性接着剤で回
路基板基材に接合する。それはFCの回路密度、生産性,信頼性の改善に寄与
し、他方設計者の選択肢(平面および三次元パッケージング)を拡大してい
る。
 この報告は、G on G システムの利点と、FC製品の性能・検査・信頼性への
究極的影響を論ずる。温度と湿度テストの結果から、高信頼性と高電流容量
を必要とする応用に G on G FCが適していることが分った。

序 言
 小型化された電子デバイスは、設計・材料・製造の不良がユーザーに重大
な影響をもたらす生命科学や医療などの分野へ広がっている。従って中間及
び最終検査だけでなく、新技術の検証自体が重要な要素となる。検査のニー
ズ増大が、コスト・生産能力・信頼性などに不必要な負担をかけないように、
検査し易い設計とする必要がある。

小型化の傾向
 小型化には、部品の小型化だけでなく、機能集積化、不必要なパッケージ
の除去、ワイヤーボンディングの除去なども含まれる。以前のチップオンボ
ード、チップオンチップ等の技術は、上向きのパッドを持つICのワイヤーボ
ンドに依存している。この技術は外辺リードのチップに多少残っている。表
1に示したMinext (Chip on FC) とCSP三次元化技術は、FC技術を核として、
さらに小型化を図ったものである。小型化にはFCが基本的要素である。
 金スタッドバンプを持つダイと、非導電性接着剤を使用するFC技術の、熱
的および電気的性能に焦点を当てる。G on G 技術は、はんだや導電性接着
剤を使用する技術以上の利点を提供し、従来の方法では実現できない応用を
可能にする。
 
FCの一般的性能特性
・サイズ減少
・I/O密度の増大:今日、 G on G FCの接続ピッチは100μオーダーである。
 100μ以下のピッチは基材の性質によって制限される。
・高速性:外部接続の配線除去により、インダクタンスや静電容量などの
 回路効果を減少させ、印刷配線や通常のICで組立てたものよリ、FC回路
 は高速で作動することが出来る。
・熱放射性:基材とチップを密着しており、基材およびダイ背面へより多
 く熱拡散する。□低電力消費:FCではチップと基材の距離は実質ゼロで
 あり、リード抵抗による電力消費がない。
・高信頼性:低電力消費および作動温度の低下の累積的効果が製品の信頼
 性を向上させる。

 FC技術の代表的タイプの比較を表2に示した。IBMにより1960年代に開発
されたはんだ法は、通常C4と呼ばれ長い実績を持ち、リフロー時に自動位
置修正するのが利点である。期待されるように、はんだ法は低抵抗の回路
(10mΩ以下)を形成する。C4はダイと基材を強固に結合するが、熱膨張
により生ずる応力の影響を受け易い。そのため、アンダーフィルは全ての
FCプロセスの標準的工程となった。ダイと基材間のすき間をボイドなく完
全に濡らした時に、アンダーフィルの最大効果が得られる。すき間が狭い
ことと、完全な洗浄が難しいので、前述の要求を完全に満たすことは困難
である。
  
 加えて、リフローはんだ付けに高温加熱が必要であり、C4技術は有機基
材には不向きである。204℃あるいはそれ以上になると、半導体の中で化学
的反応が始まり、デバイス不良になる可能性がある。H. C. Jangらの報告
は、印刷はんだリフローバンプの温度サイクルでCu-Sn化合物が発達し、リ
フローを含めた3回の熱履歴で銅の枯渇があり得ることを示した。
 接着剤を用いるFC技術は、大きく導電性接着剤と非導電性接着剤(以下
NCAと略記)に分けられ、前者はさらに等方導電性と非等方導電性接着剤
(以下ACAと略記)に分けられる。FC応用にはACAが用いられる。何故なら
導電性粒子の性質がZ方向に、すなわちダイと基材表面に対して直角に機能
するからである。しかしながら、代表的抵抗が25〜50mΩの時に、ACA使用
の接続インピーダンスは3倍ないし10倍と高いので、ACAは低電流応用に適
している。
 ACAとNCAのいずれを用いても、ダイと基材の結合は強固ではないが、ア
ンダーフィルの役割を果たし、熱膨張率に関連する応力を緩和する。さら
に鉛フリーである。他方、接着剤を使うFCプロセスは硬化の間、必要な位
置公差を保つ装置を必要とする。
     
より詳しくは、www.eleshow.com/ の海外技術情報をクリックし、2001.
11.28月号をご覧下さい。3頁にわたり図表入りで詳しく書いてあります。

また、全文をお読みになりたい方は、10月16日に発刊しました「2001最新
海外FC/CSP実装技術」をお求めください。(A4版100頁\48,000)

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